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設(shè)備特點
適用于4/6/8寸晶圓的先進(jìn)封裝/chiplet 等工藝/SOI襯底減薄拋光工序
*厚可對應(yīng)晶圓厚度在1800um(bonding wafer)
薄可將晶圓加工至10um, 同時保持TTV≤1.5um
可追加晶圓化學(xué)清洗模組，保證晶圓的表面潔凈度滿足fab工藝
可配置MES協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊SECS/GEM標(biāo)準(zhǔn)配置
拋光部分終點檢測功能，精確控制*終厚度
Polish head支持3zone/5zone
可針對各類化合物半導(dǎo)體/第三代半導(dǎo)體的減薄/拋光
暫無數(shù)據(jù)！
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