推薦液相法：碳化硅晶體生長的“破局者”

中國粉體網(wǎng)訊 物理氣相輸運(yùn)法（PVT）是產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中最為常見的SiC單晶生長方法，但這一方法在生長p型4H-SiC和立方SiC（3C-SiC）單晶方面存在顯著難度。PVT法的局限性使得在特定應(yīng)用下，如高頻、高壓、大功率IGB[更多]