推薦SiC單晶生長：三大方法優(yōu)劣全解析

中國粉體網(wǎng)訊 目前，主流的碳化硅長晶技術(shù)主要包括物理氣相沉積法（PVT）、液相生長法（LPE）、高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）。物理氣相沉積法（PVT）PVT法生長SiC單晶涉及許多復(fù)雜的過程，其工作原理是通過感應(yīng)線圈將坩[更多]