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NMC 508RIE為電容耦合等離子體干法刻蝕機，適用6/8英寸介質層刻蝕工藝，具有高刻蝕速率和均勻性，工藝類型覆蓋前道和后道所有介質刻蝕。該機臺為多腔室集群設備，可全自動并行工藝、易維護、性能穩定、產能高、客戶擁有成本低。
設備特點
?多頻CCP模式，工藝窗口不
?高刻蝕速率和高刻蝕均勻性
?低擁有成本、低運營成本
產品應用
?晶圓尺寸：6/8 英寸兼容
?適用材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
?適應工藝：鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導線孔、側襯、自對準、回刻等刻蝕
?適用領域：集成電路、化合物半導體、功率半導體、科研領域
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